DDTA144ELP-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.39 грн |
| 6000+ | 7.43 грн |
| 9000+ | 7.10 грн |
| 15000+ | 6.31 грн |
| 21000+ | 6.10 грн |
| 30000+ | 5.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTA144ELP-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DDTA144ELP-7 за ціною від 8.65 грн до 29.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DDTA144ELP-7 | Diodes Zetex |
Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DDTA144ELP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFNQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 99553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DDTA144ELP-7 | Diodes Incorporated |
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DDTA144ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 250mW 3-Pin DFN T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 250mW 3-Pin DFN T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.65 грн |
| DDTA144ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 99553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.38 грн |
| 16+ | 18.99 грн |
| 100+ | 12.79 грн |
| 500+ | 9.32 грн |
| DDTA144ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



