DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.72 грн |
| 35+ | 8.66 грн |
| 100+ | 5.39 грн |
| 500+ | 3.70 грн |
| 1000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DDTB113ZC-7-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DDTB113ZC-7-F | Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 1K 10K |
на замовлення 3932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DDTB113ZC-7-F |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 1K 10K
Digital Transistors 200MW 1K 10K
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)