DDTB113ZC-7-F DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DDTB113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.11 грн |
| 1000+ | 2.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTB113ZC-7-F DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTB113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DDTB113ZC-7-F за ціною від 1.99 грн до 20.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDTB113ZC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDTB113ZC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 1K 10K |
на замовлення 8419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDTB113ZC-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DDTB113ZC-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Current gain: 56 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DDTB113ZC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DDTB113ZC-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Current gain: 56 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V |
товару немає в наявності |