DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated


DDTB_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2505000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.04 грн
6000+2.62 грн
9000+2.46 грн
15000+2.14 грн
21000+2.04 грн
30000+1.95 грн
75000+1.71 грн
150000+1.58 грн
300000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DDTB123YC-7-F за ціною від 2.25 грн до 16.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTB123YC-7-F DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2506953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.03 грн
35+8.84 грн
100+5.50 грн
500+3.78 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB123YC-7-F DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 2.2K 10K
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.25 грн
34+9.70 грн
100+5.27 грн
500+3.87 грн
1000+3.09 грн
3000+2.67 грн
6000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB123YC-7-F DDTB_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2506953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.03 грн
35+8.84 грн
100+5.50 грн
500+3.78 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB123YC-7-F DDTB_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 2.2K 10K
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
21+16.25 грн
34+9.70 грн
100+5.27 грн
500+3.87 грн
1000+3.09 грн
3000+2.67 грн
6000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.