Продукція > DIODES INCORPORATED > DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F

DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated

DDTB_XXXX_C.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.81 грн
6000+ 2.51 грн
9000+ 2.08 грн
30000+ 1.92 грн
75000+ 1.73 грн
150000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції DDTB123YC-7-F за ціною від 1.87 грн до 18.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDTB123YC-7-F DDTB123YC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 563483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.61 грн
26+ 11.06 грн
100+ 5.4 грн
500+ 4.22 грн
1000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
DDTB123YC-7-F DDTB123YC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 2.2K 10K
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.85 грн
25+ 12.59 грн
100+ 5.27 грн
1000+ 3.2 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 2 грн
24000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
DDTB123YC-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DDTB_XXXX_C.pdf DDTB123YC-7-F PNP SMD transistors
товар відсутній