DDTB142JU-7-F Diodes Incorporated


DDTB122LU%2CTU%2C142JU%2CTU.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
19+16.61 грн
100+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTB142JU-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 470 Ohms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції DDTB142JU-7-F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTB142JU-7-F DDTB142JU-7-F Diodes Incorporated DIODS10826_1-2512551.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.47K 10K
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB142JU-7-F DIODS10826_1-2512551.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.47K 10K
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.