DDTC114EE-7-F DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DDTC114EE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.91 грн |
| 1000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC114EE-7-F DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTC114EE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DDTC114EE-7-F за ціною від 2.12 грн до 21.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DDTC114EE-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTC114EE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW |
на замовлення 14217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DDTC114EE-7-F | Виробник : DIODES |
09+ |
на замовлення 18618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DDTC114EE-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DDTC114EE-7-F NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DDTC114EE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |