на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC114ELP-7 Diodes Zetex
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DDTC114ELP-7 за ціною від 7.13 грн до 30.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 21474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DDTC114ELP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2) |
товар відсутній |