DDTC114YE-7-F

DDTC114YE-7-F Diodes Incorporated


ds30314.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6297000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.62 грн
6000+3.12 грн
9000+2.94 грн
15000+2.56 грн
21000+2.45 грн
30000+2.33 грн
75000+2.05 грн
150000+1.90 грн
300000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTC114YE-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDTC114YE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DDTC114YE-7-F за ціною від 2.67 грн до 23.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTC114YE-7-F DDTC114YE-7-F Виробник : DIODES INC. ds30314.pdf Description: DIODES INC. - DDTC114YE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.24 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114YE-7-F DDTC114YE-7-F Виробник : DIODES INC. ds30314.pdf Description: DIODES INC. - DDTC114YE-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+15.90 грн
87+9.91 грн
139+6.15 грн
500+4.24 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114YE-7-F DDTC114YE-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30314.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6299058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.31 грн
31+10.48 грн
100+6.52 грн
500+4.48 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114YE-7-F DDTC114YE-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30314.pdf Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW
на замовлення 13369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.11 грн
23+15.60 грн
100+5.56 грн
1000+3.89 грн
3000+3.05 грн
9000+2.74 грн
24000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114YE-7-F Виробник : DIODES ds30314.pdf 09+
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114YE-7-F Виробник : DIODES ds30314.pdf SOT523
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.