DDTC115EE-7-F

DDTC115EE-7-F Diodes Incorporated


ds30313.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 100K100K
на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.51 грн
19+ 16.97 грн
100+ 9.31 грн
1000+ 4.12 грн
3000+ 2.79 грн
24000+ 2.39 грн
48000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTC115EE-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-523, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.

Інші пропозиції DDTC115EE-7-F за ціною від 1.75 грн до 1.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDTC115EE-7-F Виробник : DIODES/ZETEX ds30313.pdf NPN 50V 100mA 250MHz 150mW DDTC115EE-7-F Diodes TDDTC115ee
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
DDTC115EE-7-F
Код товару: 139359
ds30313.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DDTC115EE-7-F DDTC115EE-7-F Виробник : Diodes Inc ds30313.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DDTC115EE-7-F DDTC115EE-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30313.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній
DDTC115EE-7-F DDTC115EE-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30313.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній