DDTC115TE-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.91 грн |
| 6000+ | 3.42 грн |
| 9000+ | 3.24 грн |
| 15000+ | 2.85 грн |
| 21000+ | 2.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC115TE-7-F Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-523, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.
Інші пропозиції DDTC115TE-7-F за ціною від 3.10 грн до 22.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DDTC115TE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 27023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DDTC115TE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW |
на замовлення 4370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DDTC115TE-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 29809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DDTC115TE-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DDTC115TE-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 100kΩ Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Case: SOT523 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...600 Quantity in set/package: 3000pcs. Base resistor: 100kΩ |
товару немає в наявності |
