Продукція > DIODES INCORPORATED > DDTC123EE-7-F
DDTC123EE-7-F

DDTC123EE-7-F Diodes Incorporated

ds30313.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.31 грн
6000+3.73 грн
9000+3.51 грн
15000+3.07 грн
21000+2.94 грн
30000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTC123EE-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-523, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DDTC123EE-7-F за ціною від 4.50 грн до 20.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTC123EE-7-F DDTC123EE-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30313.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
26+11.80 грн
100+7.40 грн
500+5.10 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123EE-7-F DDTC123EE-7-F Виробник : Diodes Inc ds30313.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123EE-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED ds30313.pdf DDTC123EE-7-F NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123EE-7-F DDTC123EE-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30313.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 150mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.