Продукція > DIODES INCORPORATED > DDTC123JE-7-F
DDTC123JE-7-F

DDTC123JE-7-F Diodes Incorporated

ds30314.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-523
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.25 грн
6000+3.79 грн
9000+3.15 грн
30000+2.90 грн
75000+2.61 грн
150000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTC123JE-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-523.

Інші пропозиції DDTC123JE-7-F за ціною від 3.23 грн до 25.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTC123JE-7-F DDTC123JE-7-F Diodes Incorporated ds30314.pdf Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW
на замовлення 8373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.96 грн
23+14.07 грн
100+7.60 грн
500+5.70 грн
1000+4.36 грн
3000+3.66 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JE-7-F DDTC123JE-7-F Diodes Incorporated ds30314.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
19+16.68 грн
100+8.14 грн
500+6.38 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JE-7-F ds30314.pdf
DDTC123JE-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW
на замовлення 8373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
23+14.07 грн
100+7.60 грн
500+5.70 грн
1000+4.36 грн
3000+3.66 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JE-7-F ds30314.pdf
DDTC123JE-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
19+16.68 грн
100+8.14 грн
500+6.38 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.