Продукція > DIODES INCORPORATED > DDTC123JLP-7
DDTC123JLP-7

DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated

ds30755.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.62 грн
6000+7.57 грн
9000+7.19 грн
15000+6.35 грн
21000+6.12 грн
30000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DDTC123JLP-7 за ціною від 6.33 грн до 40.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTC123JLP-7 DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated ds30755.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 53340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
14+22.70 грн
100+14.48 грн
500+10.24 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JLP-7 DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated ds30755.pdf Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.20 грн
14+24.59 грн
100+13.64 грн
500+10.27 грн
1000+9.21 грн
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JLP-7 ds30755.pdf
DDTC123JLP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 53340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.98 грн
14+22.70 грн
100+14.48 грн
500+10.24 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JLP-7 ds30755.pdf
DDTC123JLP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.20 грн
14+24.59 грн
100+13.64 грн
500+10.27 грн
1000+9.21 грн
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.