DDTC144ELP-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 12+ | 27.09 грн |
| 100+ | 17.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTC144ELP-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DDTC144ELP-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DDTC144ELP-7 | Diodes Incorporated |
Digital Transistors R1=R2 NPN 47KOHMS 250MW |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DDTC144ELP-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors R1=R2 NPN 47KOHMS 250MW
Digital Transistors R1=R2 NPN 47KOHMS 250MW
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)