DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated


DDTD_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 363000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.87 грн
6000+3.34 грн
9000+3.15 грн
15000+2.75 грн
21000+2.62 грн
30000+2.50 грн
75000+2.20 грн
150000+2.05 грн
300000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DDTD113EC-7-F за ціною від 2.18 грн до 19.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTD113EC-7-F DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 365957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.99 грн
28+11.20 грн
100+6.93 грн
500+4.78 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113EC-7-F DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 1K1K
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.53 грн
28+11.65 грн
100+4.01 грн
1000+3.59 грн
3000+2.74 грн
9000+2.32 грн
24000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113EC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 365957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.99 грн
28+11.20 грн
100+6.93 грн
500+4.78 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113EC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 1K1K
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.53 грн
28+11.65 грн
100+4.01 грн
1000+3.59 грн
3000+2.74 грн
9000+2.32 грн
24000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.