DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.89 грн |
| 6000+ | 3.36 грн |
| 9000+ | 3.17 грн |
| 15000+ | 2.76 грн |
| 21000+ | 2.64 грн |
| 30000+ | 2.52 грн |
| 75000+ | 2.22 грн |
| 150000+ | 2.06 грн |
| 300000+ | 1.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDTD113EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85411000, Dauer-Kollektorstrom Ic: 500mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DDTD113EC-7-F за ціною від 2.28 грн до 28.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DDTD113EC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 365957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDTD113EC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 1K1K |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDTD113EC-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTD113EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85411000 Dauer-Kollektorstrom Ic: 500mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DDTD113EC-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DDTD113EC-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DDTD113EC-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W |
товару немає в наявності |