Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > DDTD113ZC-7-F

DDTD113ZC-7-F

DDTD_XXXX_C.pdf
Код товару: 215803
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DDTD113ZC-7-F за ціною від 2.07 грн до 29.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
6000+3.13 грн
9000+2.94 грн
15000+2.57 грн
21000+2.46 грн
30000+2.35 грн
75000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 98561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
29+10.45 грн
100+6.52 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F DIODES INC. DDTD_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.41 грн
53+15.35 грн
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 1K 10K
на замовлення 133460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F Diodes INC. DDTD_XXXX_C.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
DDTD113ZC-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.62 грн
6000+3.13 грн
9000+2.94 грн
15000+2.57 грн
21000+2.46 грн
30000+2.35 грн
75000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
DDTD113ZC-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 98561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
29+10.45 грн
100+6.52 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
DDTD113ZC-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+29.41 грн
53+15.35 грн
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
DDTD113ZC-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 1K 10K
на замовлення 133460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD113ZC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
Виробник: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.