Продукція > DIODES INC > DDTD114TC-7-F
DDTD114TC-7-F

DDTD114TC-7-F Diodes Inc


ds30384.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTD114TC-7-F Diodes Inc

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.

Інші пропозиції DDTD114TC-7-F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDTD114TC-7-F DDTD114TC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
товар відсутній
DDTD114TC-7-F DDTD114TC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K
товар відсутній