DDTD123EC-7-F Diodes Zetex
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4286+ | 2.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTD123EC-7-F Diodes Zetex
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції DDTD123EC-7-F за ціною від 2.10 грн до 24.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DDTD123EC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DDTD123EC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 255604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DDTD123EC-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 2.2K |
на замовлення 6049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DDTD123EC-7-F Код товару: 215420
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
DDTD123EC-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
DDTD123EC-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| DDTD123EC-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 39 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ |
товару немає в наявності |