DDTD142JC-7-F

DDTD142JC-7-F Diodes Incorporated


DDTD_LO-R1_C.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.83 грн
6000+2.47 грн
9000+2.34 грн
15000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTD142JC-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DDTD142JC-7-F за ціною від 2.43 грн до 14.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F Виробник : DIODES INC. DDTD_LO-R1_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.47 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 254575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
36+8.74 грн
100+5.87 грн
500+4.21 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F Виробник : DIODES INC. DDTD_LO-R1_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.19 грн
85+9.82 грн
164+5.04 грн
500+4.47 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_C.pdf Digital Transistors 200MW 0.47K 10K
на замовлення 73297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.33 грн
35+9.81 грн
100+4.41 грн
1000+3.97 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DDTD_LO-R1_C.pdf DDTD142JC-7-F NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.