DDTD142JC-7-F Diodes Incorporated


DDTD_LO-R1_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 252000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.81 грн
6000+2.46 грн
9000+2.33 грн
15000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTD142JC-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції DDTD142JC-7-F за ціною від 2.88 грн до 21.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F DIODES INC. DDTD_LO-R1_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.91 грн
116+7.13 грн
500+4.91 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
36+8.69 грн
100+5.84 грн
500+4.18 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F DIODES INC. DDTD_LO-R1_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.03 грн
76+10.91 грн
116+7.13 грн
500+4.91 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD142JC-7-F Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_C.pdf Digital Transistors 200MW 0.47K 10K
на замовлення 36843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.17 грн
28+11.65 грн
100+6.68 грн
500+5.20 грн
1000+4.57 грн
3000+3.02 грн
6000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD_LO-R1_C.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.91 грн
116+7.13 грн
500+4.91 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD_LO-R1_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.66 грн
36+8.69 грн
100+5.84 грн
500+4.18 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD_LO-R1_C.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD142JC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.03 грн
76+10.91 грн
116+7.13 грн
500+4.91 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JC-7-F DDTD_LO-R1_C.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 0.47K 10K
на замовлення 36843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.17 грн
28+11.65 грн
100+6.68 грн
500+5.20 грн
1000+4.57 грн
3000+3.02 грн
6000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.