DDTD142JU-7-F

DDTD142JU-7-F Diodes Incorporated


DDTD_LO-R1_U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 237000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.19 грн
6000+3.74 грн
9000+3.10 грн
30000+2.86 грн
75000+2.57 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTD142JU-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDTD142JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DDTD142JU-7-F за ціною від 2.72 грн до 26.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTD142JU-7-F DDTD142JU-7-F Виробник : DIODES INC. DDTD_LO-R1_U.pdf Description: DIODES INC. - DDTD142JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.43 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JU-7-F DDTD142JU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_U.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 470 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 239424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
19+16.40 грн
100+8.04 грн
500+6.29 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JU-7-F DDTD142JU-7-F Виробник : DIODES INC. DDTD_LO-R1_U.pdf Description: DIODES INC. - DDTD142JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 470ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.00 грн
46+18.07 грн
100+11.31 грн
500+9.43 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JU-7-F DDTD142JU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_U.pdf Digital Transistors 200MW 470W 10KW
на замовлення 13598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.35 грн
19+18.02 грн
100+9.86 грн
1000+4.41 грн
3000+3.83 грн
9000+2.94 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JU-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTD_LO-R1_U.pdf TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DDTD142JU-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED DDTD_LO-R1_U.pdf DDTD142JU-7-F NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.