DE150-102N02A IXYS
Виробник: IXYS
Description: RF MOSFET DE150
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2A
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: DE150
Voltage - Rated: 1000 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3041.98 грн |
| 10+ | 2394.78 грн |
| 40+ | 2205.01 грн |
| 120+ | 1970.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DE150-102N02A IXYS
Description: RF MOSFET DE150, Packaging: Tube, Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad, Current Rating (Amps): 2A, Configuration: N-Channel, Power - Output: 200W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Supplier Device Package: DE150, Voltage - Rated: 1000 V.
Інші пропозиції DE150-102N02A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DE150-102N02A | IXYS |
 RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 1000V 2A |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DE150-102N02A |
|
Виробник: IXYS
RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 1000V 2A
RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 1000V 2A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)