на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3408.29 грн |
| 10+ | 2918.72 грн |
| 120+ | 2220.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DE150-102N02A IXYS
Description: RF MOSFET DE150, Packaging: Tube, Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad, Current Rating (Amps): 2A, Configuration: N-Channel, Power - Output: 200W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Supplier Device Package: DE150, Voltage - Rated: 1000 V.
Інші пропозиції DE150-102N02A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DE150-102N02A | Виробник : Littelfuse |
 Trans RF FET N-CH 1000V 2A 150-Pin |
товару немає в наявності |
||
 |
DE150-102N02A | Виробник : IXYS |
Description: RF MOSFET DE150 Packaging: Tube Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Current Rating (Amps): 2A Configuration: N-Channel Power - Output: 200W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: DE150 Voltage - Rated: 1000 V |
товару немає в наявності |