DE150-501N04A IXYS
Виробник: IXYS
Description: RF MOSFET DE150
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Current Rating (Amps): 4.5A
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: DE150
Voltage - Rated: 500 V
Current - Test: 25 µA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DE150-501N04A IXYS
Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, Verlustleistung Pd: 200, Betriebsfrequenz, max.: 100, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: DE-150, Bauform - HF-Transistor: DE-150, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції DE150-501N04A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DE150-501N04A | IXYS | RF MOSFET Transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DE150-501N04A | IXYS RF |
 Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Verlustleistung Pd: 200 Betriebsfrequenz, max.: 100 Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: DE-150 Bauform - HF-Transistor: DE-150 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DE150-501N04A | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 6-Pin |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DE150-501N04A |
Виробник: IXYS
RF MOSFET Transistors
RF MOSFET Transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DE150-501N04A |
|
Виробник: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Verlustleistung Pd: 200
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: DE-150
Bauform - HF-Transistor: DE-150
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Verlustleistung Pd: 200
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: DE-150
Bauform - HF-Transistor: DE-150
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DE150-501N04A |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 6-Pin
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 6-Pin
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.