Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > DE475-102N21A

DE475-102N21A

DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf
Код товару: 163384
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DE475-102N21A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DE475-102N21A DE475-102N21A IXYS-RF DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf Description: RF MOSFET DE475
Voltage - Rated: 1000 V
Supplier Device Package: DE475
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Output: 1800W
Configuration: N-Channel
Current Rating (Amps): 24A
Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A DE475-102N21A IXYS DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf RF MOSFET Transistors 1000V, 24A RF Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A DE475-102N21A IXYS RF 66994.pdf Description: IXYS RF - DE475-102N21A - HF-FET-Transistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 24
Verlustleistung Pd: 1.8
Betriebsfrequenz, max.: 30
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-475
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A Ixys Corporation DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf Trans RF FET N-CH 1000V 24A 6-Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf
DE475-102N21A
Виробник: IXYS-RF
Description: RF MOSFET DE475
Voltage - Rated: 1000 V
Supplier Device Package: DE475
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Output: 1800W
Configuration: N-Channel
Current Rating (Amps): 24A
Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf
DE475-102N21A
Виробник: IXYS
RF MOSFET Transistors 1000V, 24A RF Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A 66994.pdf
DE475-102N21A
Виробник: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE475-102N21A - HF-FET-Transistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 24
Verlustleistung Pd: 1.8
Betriebsfrequenz, max.: 30
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-475
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DE475-102N21A DE475_102N21A_00_Datasheet_RevA.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans RF FET N-CH 1000V 24A 6-Pin
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.