Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF1000R17IE4BOSA1
DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-DF1000R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f22cae54be8 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+33496.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 6250W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 6250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V.

Інші пропозиції DF1000R17IE4BOSA1 за ціною від 45399.92 грн до 46804.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-df1000r17ie4-ds-v03_01-ja.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1KA 12-Pin PRIME3-1 Tray
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+46804.01 грн
25+45399.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-df1000r17ie4-ds-v03_01-ja.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1KA 12-Pin PRIME3-1 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+46804.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-df1000r17ie4-ds-v03_01-ja.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250mW Automotive 12-Pin PRIME3-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-df1000r17ie4-ds-v03_01-ja.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 1KA 12-Pin PRIME3-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF1000R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f22cae54be8 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.