DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 54506.72 грн |
| 25+ | 52871.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W 12-Pin PRIME3-1 Tray.
Інші пропозиції DF1000R17IE4DB2BOSA1 за ціною від 42762.57 грн до 54506.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W 12-Pin PRIME3-1 Tray |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W 12-Pin PRIME3-1 Tray |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DF1000R17IE4D_B2 - 1700 V, 1000 Packaging: Bulk |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|