DF100R07W1H5FPB53BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 2622.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF100R07W1H5FPB53BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції DF100R07W1H5FPB53BPSA1 за ціною від 2972.92 грн до 3492.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF100R07W1H5FPB53BPSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - DF100R07W1H5FPB53BPSA1 - DF100R07 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DF100R07W1H5FPB53BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
DF100R07W1H5FPB53BPSA1 |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|