Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції DF100R07W1H5FPB53BPSA2 за ціною від 899.90 грн до 2985.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies |
 IGBT Modules Low Power |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies |
IGBT Modules Low Power |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies |
IGBT Modules Low Power |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules Low Power
IGBT Modules Low Power
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 899.90 грн |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2105.94 грн |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module
IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2674.11 грн |
| 10+ | 2019.08 грн |
| 120+ | 1669.03 грн |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules Low Power
IGBT Modules Low Power
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2946.56 грн |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules Low Power
IGBT Modules Low Power
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2946.56 грн |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2985.38 грн |