
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1274.13 грн |
5+ | 1261.33 грн |
10+ | 1169.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB53BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції DF100R07W1H5FPB53BPSA2 за ціною від 1305.61 грн до 3988.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |