DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 2316.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції DF100R07W1H5FPB54BPSA2 за ціною від 1938.22 грн до 4295.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB54BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 50 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
EasyPACK™ module with TRENCH STOP™5 H5 and CoolSiC™ diode |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode |
товару немає в наявності |

