Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF100R07W1H5FPB54BPSA2
DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies

Infineon-DF100R07W1H5FP_B54-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5761855903ab
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2105.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції DF100R07W1H5FPB54BPSA2 за ціною від 1669.03 грн до 2985.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies Infineon_DF100R07W1H5FP_B54_DataSheet_v03_00_EN.pdf IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2674.11 грн
10+2019.08 грн
120+1669.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies infineon-df100r07w1h5fp_b54-ds-v03_00-cn.pdf Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2946.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies infineon-df100r07w1h5fp_b54-ds-v03_00-cn.pdf Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2946.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies Infineon-DF100R07W1H5FP_B54-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5761855903ab Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2985.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon_DF100R07W1H5FP_B54_DataSheet_v03_00_EN.pdf
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 100 A booster IGBT module
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2674.11 грн
10+2019.08 грн
120+1669.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 infineon-df100r07w1h5fp_b54-ds-v03_00-cn.pdf
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+2946.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 infineon-df100r07w1h5fp_b54-ds-v03_00-cn.pdf
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Module with TRENCH STOP and CoolSiC diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+2946.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon-DF100R07W1H5FP_B54-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5761855903ab
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2985.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.