DF11MR12W1M1B11BOMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - DF11MR12W1M1B11BOMA1 - DF11MR12 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF11MR12W1M1B11BOMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2.
Інші пропозиції DF11MR12W1M1B11BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules
Discrete Semiconductor Modules
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)