DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11329.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції DF11MR12W1M1B11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 21-Pin EASY1BM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |