DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Інші пропозиції DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 4281.62 грн до 6591.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|