DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5119.57 грн |
| 24+ | 4676.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Інші пропозиції DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 4445.80 грн до 5771.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5771.48 грн |
| 10+ | 4445.80 грн |