DF120R12W2H3B27BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V
Verlustleistung Pd: 180W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2795.14 грн |
| 5+ | 2401.26 грн |
| 10+ | 2007.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF120R12W2H3B27BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V, Verlustleistung Pd: 180W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 50A, Produktpalette: EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DF120R12W2H3B27BOMA1 за ціною від 2178.13 грн до 3664.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF120R12W2H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 180 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DF120R12W2H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 180 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DF120R12W2H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 180W 17-Pin EASY2B-2 Tray |
на замовлення 686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DF120R12W2H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK 2B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DF120R12W2H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 180W 17-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |