Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF120R12W2H3B27BOMA1
DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies


Infineon-DF120R12W2H3_B27-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304340e762c80140e886ef5e0142 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+2494.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V, Verlustleistung Pd: 180W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DF120R12W2H3B27BOMA1 за ціною від 2376.85 грн до 3656.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF120R12W2H3_B27-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304340e762c80140e886ef5e0142 Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3255.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 Виробник : INFINEON INFNS28137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V
Verlustleistung Pd: 180W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3656.26 грн
5+3290.71 грн
10+2376.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 206226967923869ds_df120r12w2h3_b27_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b409.pdf Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK 2B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 206226967923869ds_df120r12w2h3_b27_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b409.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 180W 17-Pin EASY2B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.