Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF120R12W2H3B27BOMA1
DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-DF120R12W2H3_B27-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304340e762c80140e886ef5e0142 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+2465.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 180 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V.

Інші пропозиції DF120R12W2H3B27BOMA1 за ціною від 2648.28 грн до 3086.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF120R12W2H3_B27-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304340e762c80140e886ef5e0142 Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3086.18 грн
15+ 2648.28 грн
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 206226967923869ds_df120r12w2h3_b27_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b409.pdf Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK 2B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3
товар відсутній