DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5015.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Інші пропозиції DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 4897.29 грн до 8131.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
на замовлення 24 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||
 |
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
на замовлення 24 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5950.31 грн |
| 10+ | 4897.29 грн |
| DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 8131.08 грн |
| 100+ | 7724.12 грн |