DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 6628.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DF160R12W2H3FB11BPSA1 за ціною від 6628.19 грн до 7642.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 30-Pin Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 40A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412100 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK CoolSiC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Easy PACK IGBT module |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 30-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |