DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2377.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A, Packaging: Tray, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 3686.34 грн до 5389.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25APackaging: Tray Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA Part Status: Active |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 17-Pin Tray |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A
Packaging: Tray
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A
Packaging: Tray
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3962.18 грн |
| 24+ | 3686.34 грн |
| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 17-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 17-Pin Tray
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 5389.49 грн |
| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)