DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3925.88 грн |
| 24+ | 3652.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A, Part Status: Active, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.3mOhm @ 25A, 18V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Chassis Mount, Packaging: Tray.
Інші пропозиції DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 3020.24 грн до 4228.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4228.34 грн |
| 10+ | 3799.57 грн |
| 120+ | 3020.24 грн |