DF23MR12W1M1PB11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3952.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF23MR12W1M1PB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - DF23MR12W1M1PB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DF23MR12W1M1PB11BPSA1 за ціною від 6036.22 грн до 8708.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A AG-EASY1B Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 25A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1B-2 Part Status: Obsolete |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|