DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18183.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA, Supplier Device Package: AG-EASY3B, Part Status: Active.
Інші пропозиції DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 за ціною від 22541.98 грн до 23002.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 50A 40-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module |
товару немає в наявності |