DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 4150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23680.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Power - Max: 4150 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 930 A, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції DF650R17IE4BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.