Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF650R17IE4BOSA1
DF650R17IE4BOSA1

DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24206.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 930 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 4150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.

Інші пропозиції DF650R17IE4BOSA1 за ціною від 37007.75 грн до 39370.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7755ds_df650r17ie4_2_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf IGBT Power Module
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39370.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7755ds_df650r17ie4_2_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf IGBT Power Module
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39370.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7755ds_df650r17ie4_2_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf IGBT Power Module
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39370.10 грн
25+38582.92 грн
100+37007.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7755ds_df650r17ie4_2_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf IGBT Power Module
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39370.10 грн
25+38582.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7755ds_df650r17ie4_2_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf IGBT Power Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF650R17IE4BOSA1 DF650R17IE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-DF650R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f1e5a664bbc Description: IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 930 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.