DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage



Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.23 грн
6000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage

Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max), Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 22.5V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V, Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW), Power Line Protection: No.

Інші пропозиції DF6S25P3NU,LF(B за ціною від 15.92 грн до 41.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DF6S25P3NU,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
10+35.55 грн
25+33.41 грн
100+25.59 грн
250+23.77 грн
500+20.23 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF6S25P3NU,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LF ESD PROTECTION DIODES 21V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 650pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 110A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V (Max)
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 5060W (5.06kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.63 грн
10+35.55 грн
25+33.41 грн
100+25.59 грн
250+23.77 грн
500+20.23 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.