DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 50A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 50A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DF75R12W1H4FB11BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DF75R12W1H4FB11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules |
товару немає в наявності |