Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF75R12W1H4FB11BOMA1
DF75R12W1H4FB11BOMA1

DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies


4310701969699956dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433fe811c.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Power Module
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF75R12W1H4FB11BOMA1 Infineon Technologies

Description: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції DF75R12W1H4FB11BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DF75R12W1H4FB11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies DF75R12W1H4F_B11_Rev3.0_2013-11-25.pdf Description: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній
DF75R12W1H4FB11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies DF75R12W1H4F_B11_Rev3.0_2013-11-25.pdf IGBT Modules
товар відсутній