на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 7718.73 грн |
| 100+ | 7333.21 грн |
| 500+ | 6946.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF75R12W1H4FB11BOMA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції DF75R12W1H4FB11BOMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DF75R12W1H4FB11BOMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Easy PACK IGBT module |
товару немає в наявності |
|
 |
DF75R12W1H4FB11BOMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 25A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |