DF80R12W2H3B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 190W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 190 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3188.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF80R12W2H3B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 190W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Dual Boost Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 190 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V.
Інші пропозиції DF80R12W2H3B11BOMA1 за ціною від 3872.74 грн до 4076.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF80R12W2H3B11BOMA1 | Infineon Technologies |
DF80R12W2H3B11BOMA1 |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DF80R12W2H3B11BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DF80R12W2H3B11BOMA1
DF80R12W2H3B11BOMA1
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 4076.81 грн |
| 100+ | 3872.74 грн |