DF80R12W2H3B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 190W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Dual Boost Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 190 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
NTC Thermistor: Yes
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF80R12W2H3B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 190W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Dual Boost Chopper, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 190 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, NTC Thermistor: Yes.
Інші пропозиції DF80R12W2H3B11BOMA1 за ціною від 3855.60 грн до 4058.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF80R12W2H3B11BOMA1 | Infineon Technologies |
DF80R12W2H3B11BOMA1 |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DF80R12W2H3B11BOMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DF80R12W2H3B11BOMA1
DF80R12W2H3B11BOMA1
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 4058.78 грн |
| 100+ | 3855.60 грн |