Технічний опис DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA.
Інші пропозиції DF80R12W2H3FB11BPSA1 за ціною від 5228.57 грн до 5228.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF80R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MWPower - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
DF80R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5228.57 грн |
| DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)