Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > DF80R12W2H3FB11BPSA1
DF80R12W2H3FB11BPSA1

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies

infineondf80r12w2h3fb11datasheetv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1073.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 80A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції DF80R12W2H3FB11BPSA1 за ціною від 5075.60 грн до 5075.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DF80R12W2H3FB11BPSA1 DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF80R12W2H3F_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b8e6d78e27385 Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5075.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies infineondf80r12w2h3fb11datasheetv0300en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 DF80R12W2H3FB11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003069733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon-DF80R12W2H3F_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b8e6d78e27385
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5075.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 infineondf80r12w2h3fb11datasheetv0300en.pdf
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 INFN-S-A0003069733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.