DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7589.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A, Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active, Technology: Silicon Carbide (SiC), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA.
Інші пропозиції DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 6276.39 грн до 8365.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET booster module 1200 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|