DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7271.07 грн |
| 10+ | 6424.22 грн |
| 120+ | 5302.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Інші пропозиції DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 за ціною від 7527.33 грн до 7527.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1BPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|