DFE252010F-100M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 900MA 600 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 600mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 900 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.04 грн |
| 6000+ | 8.21 грн |
| 9000+ | 7.93 грн |
| 15000+ | 7.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252010F-100M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.6ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 900mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.3A, Produktlänge: 2.5mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: DFE252010F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 2mm.
Інші пропозиції DFE252010F-100M=P2 за ціною від 7.33 грн до 22.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 900MA 600 MOHMTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 600mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.3A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 900 mA |
на замовлення 16634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 3567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 10 UH 20% |
на замовлення 9275 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 3567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.6ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 900mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.3A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DFE252010F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.6ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.3A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DFE252010F-100M=P2 | MURATA |
Category: InductorsDescription: Inductor: wire; SMD; 1008; 10uH; Ioper: 900mA; R: 600mΩ; ±20% Type of inductor: wire Case - inch: 1008 Case - mm: 2520 Inductance: 10µH Tolerance: ±20% Test frequency: 1MHz Saturation current: 1.3A Max resistance: 600mΩ Operating temperature: -40...125°C Conform to the norm: AEC-Q200 Mounting: SMD Core material: iron powder Resistance: 0.6Ω Operating current: 0.9A Body dimensions: 2.7x2.2x1mm |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.21 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.21 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 900MA 600 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 600mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 900 mA
Description: FIXED IND 10UH 900MA 600 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 600mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.3A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 900 mA
на замовлення 16634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.01 грн |
| 22+ | 13.62 грн |
| 100+ | 11.18 грн |
| 1000+ | 8.63 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 807+ | 17.69 грн |
| 991+ | 14.40 грн |
| 1171+ | 12.20 грн |
| 3000+ | 9.94 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.38 грн |
| 20+ | 15.09 грн |
| 100+ | 10.85 грн |
| 1000+ | 8.87 грн |
| 3000+ | 8.21 грн |
| 6000+ | 7.62 грн |
| 9000+ | 7.33 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 22.01 грн |
| 44+ | 17.69 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| 1000+ | 11.76 грн |
| 3000+ | 9.21 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.83 грн |
| 42+ | 18.36 грн |
| 100+ | 10.06 грн |
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.6ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 900mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.6ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 900mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.9A 0.6Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.6ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252010F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.6ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.3A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252010F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252010F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Category: Inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1008; 10uH; Ioper: 900mA; R: 600mΩ; ±20%
Type of inductor: wire
Case - inch: 1008
Case - mm: 2520
Inductance: 10µH
Tolerance: ±20%
Test frequency: 1MHz
Saturation current: 1.3A
Max resistance: 600mΩ
Operating temperature: -40...125°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Mounting: SMD
Core material: iron powder
Resistance: 0.6Ω
Operating current: 0.9A
Body dimensions: 2.7x2.2x1mm
Category: Inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 1008; 10uH; Ioper: 900mA; R: 600mΩ; ±20%
Type of inductor: wire
Case - inch: 1008
Case - mm: 2520
Inductance: 10µH
Tolerance: ±20%
Test frequency: 1MHz
Saturation current: 1.3A
Max resistance: 600mΩ
Operating temperature: -40...125°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Mounting: SMD
Core material: iron powder
Resistance: 0.6Ω
Operating current: 0.9A
Body dimensions: 2.7x2.2x1mm
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.35 грн |





