DFE252010F-1R0M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 48 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 48mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.1 A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.38 грн |
| 6000+ | 7.61 грн |
| 9000+ | 7.36 грн |
| 15000+ | 6.61 грн |
| 21000+ | 6.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252010F-1R0M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.048ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.1A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 4.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252010F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DFE252010F-1R0M=P2 за ціною від 8.15 грн до 19.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DFE252010F-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 48 MOHM SMDTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 48mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.1A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.1 A |
на замовлення 21683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DFE252010F-1R0M=P2 | Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DFE252010F-1R0M=P2 | Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
DFE252010F-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1 UH 20% |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
DFE252010F-1R0M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.048ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.1A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252010F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| DFE252010F-1R0M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 48 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 48mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.1 A
Description: FIXED IND 1UH 3.1A 48 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 48mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.1 A
на замовлення 21683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.27 грн |
| 24+ | 12.83 грн |
| 100+ | 10.57 грн |
| 1000+ | 8.15 грн |
| DFE252010F-1R0M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 732+ | 19.33 грн |
| 932+ | 15.18 грн |
| DFE252010F-1R0M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.1A 0.048Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252010F-1R0M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 1 UH 20%
Power Inductors - SMD 1 UH 20%
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DFE252010F-1R0M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.048ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.1A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252010F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252010F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.1 A, DFE252010F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.048ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.1A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252010F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





