DFE252012F-100M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.87 грн |
| 6000+ | 8.06 грн |
| 9000+ | 7.79 грн |
| 15000+ | 7.00 грн |
| 21000+ | 6.80 грн |
| 30000+ | 6.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012F-100M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.48ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 950mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.4A, Produktlänge: 2.5mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 2mm.
Інші пропозиції DFE252012F-100M=P2 за ціною від 7.39 грн до 24.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHMTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.4A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
на замовлення 54630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 10 UH 20% |
на замовлення 64928 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 950mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
на замовлення 13069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
на замовлення 13069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.28 грн |
| 6000+ | 9.70 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.28 грн |
| 6000+ | 9.70 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
на замовлення 54630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.49 грн |
| 22+ | 14.17 грн |
| 100+ | 11.63 грн |
| 1000+ | 8.98 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
на замовлення 64928 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.91 грн |
| 20+ | 15.52 грн |
| 100+ | 11.16 грн |
| 250+ | 11.08 грн |
| 1000+ | 8.82 грн |
| 3000+ | 8.14 грн |
| 6000+ | 7.39 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 743+ | 19.78 грн |
| 877+ | 16.74 грн |
| 886+ | 16.58 грн |
| 930+ | 15.23 грн |
| 1409+ | 9.31 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 24.46 грн |
| 39+ | 20.35 грн |
| 40+ | 19.78 грн |
| 100+ | 16.15 грн |
| 250+ | 14.80 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 8.93 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
на замовлення 13069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





