DFE252012F-100M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.34 грн |
| 6000+ | 7.58 грн |
| 9000+ | 7.32 грн |
| 15000+ | 6.58 грн |
| 21000+ | 6.40 грн |
| 30000+ | 6.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012F-100M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.48ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 950mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.4A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DFE252012F-100M=P2 за ціною від 8.01 грн до 22.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHMTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.4A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
на замовлення 70169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 10 UH 20% |
на замовлення 30641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 950mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DFE252012F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.09 грн |
| 6000+ | 10.53 грн |
| 9000+ | 9.89 грн |
| 15000+ | 9.44 грн |
| 21000+ | 8.65 грн |
| 30000+ | 8.20 грн |
| 75000+ | 8.01 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.09 грн |
| 6000+ | 10.53 грн |
| 9000+ | 9.89 грн |
| 15000+ | 9.44 грн |
| 21000+ | 8.65 грн |
| 30000+ | 8.20 грн |
| 75000+ | 8.01 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
на замовлення 70169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.27 грн |
| 23+ | 13.28 грн |
| 100+ | 10.94 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 774+ | 18.27 грн |
| 944+ | 14.99 грн |
| 953+ | 14.84 грн |
| 964+ | 14.16 грн |
| 1263+ | 10.00 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.63 грн |
| 40+ | 18.86 грн |
| 42+ | 18.27 грн |
| 100+ | 14.46 грн |
| 250+ | 13.25 грн |
| 500+ | 12.58 грн |
| 1000+ | 9.60 грн |
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
на замовлення 30641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252012F-100M=P2 |
![]() |
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





