
DFE252012F-100M=P2 Murata

Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
842+ | 14.47 грн |
935+ | 13.02 грн |
939+ | 12.97 грн |
948+ | 12.39 грн |
1433+ | 7.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012F-100M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.48ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 950mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.4A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DFE252012F-100M=P2 за ціною від 6.76 грн до 25.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata |
![]() |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
![]() Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.4A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : MURATA |
![]() tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 950mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
![]() |
на замовлення 23270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DFE252012F-100M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
![]() Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.4A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
товару немає в наявності |