.jpg "DFE252012F-1R0M=P2")
DFE252012F-1R0M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 3.3A 0.04OHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.57 грн |
| 6000+ | 8 грн |
| 15000+ | 7.74 грн |
| 30000+ | 7.02 грн |
| 75000+ | 6.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012F-1R0M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.04ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.3A, RMS-Strom Irms: -A, Sättigungsstrom (Isat): 4.7A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm.
Інші пропозиції DFE252012F-1R0M=P2 за ціною від 7.21 грн до 23.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
на замовлення 3743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
на замовлення 52554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.3A RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
на замовлення 52554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 0.04OHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 40mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.3 A |
на замовлення 90687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1.0 UH 20% 6.6A |
на замовлення 74573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Виробник : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
товар відсутній |