Продукція > MURATA ELECTRONICS > DFE252012F-4R7M=P2
DFE252012F-4R7M=P2

DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics

m_dfe252012f.ashx
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.34 грн
6000+7.58 грн
9000+7.32 грн
15000+6.58 грн
21000+6.40 грн
30000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics

Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.19ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.5A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 2.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DFE252012F-4R7M=P2 за ціною від 8.44 грн до 16.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics m_dfe252012f.ashx Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
на замовлення 49111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
23+13.28 грн
100+10.94 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 Murata jete243a-0017.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics J(E)TE243A-0017.pdf Power Inductors - SMD 4.7 UH 20%
на замовлення 6330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 MURATA 2616792.pdf Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.5A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 MURATA 2616792.pdf Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 m_dfe252012f.ashx
DFE252012F-4R7M=P2
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
на замовлення 49111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
23+13.28 грн
100+10.94 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 jete243a-0017.pdf
DFE252012F-4R7M=P2
Виробник: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 J(E)TE243A-0017.pdf
DFE252012F-4R7M=P2
Виробник: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 4.7 UH 20%
на замовлення 6330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 2616792.pdf
DFE252012F-4R7M=P2
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.5A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-4R7M=P2 2616792.pdf
DFE252012F-4R7M=P2
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.