Продукція > MURATA ELECTRONICS > DFE252012F-8R2M=P2
DFE252012F-8R2M=P2

DFE252012F-8R2M=P2 Murata Electronics


m_dfe252012f.ashx Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 8.2UH 1.1A 0.41OHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 410mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
21+14.83 грн
100+12.23 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DFE252012F-8R2M=P2 Murata Electronics

Description: MURATA - DFE252012F-8R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, Geschirmt, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 8.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.41ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DFE252012F-8R2M=P2 за ціною від 7.05 грн до 25.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : Murata Electronics J_E_TE243A_0017-3158849.pdf Power Inductors - SMD
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.26 грн
21+16.29 грн
100+11.01 грн
1000+10.13 грн
3000+8.29 грн
9000+7.19 грн
24000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : MURATA 2616794.pdf Description: MURATA - DFE252012F-8R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, Geschirmt, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 8.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.41ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : MURATA 2616794.pdf Description: MURATA - DFE252012F-8R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, Geschirmt, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
Produktlänge: 2.5mm
hazardous: false
Produktbreite: 2mm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : Murata dfe252012f8r2m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 8.2uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.41Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : Murata dfe252012f8r2m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 8.2uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.41Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : Murata Electronics dfe252012f-8r2m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 8.2uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.41Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : Murata Electronics dfe252012f-8r2m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 8.2uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.41Ohm DCR 1008 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 Виробник : Murata Electronics m_dfe252012f.ashx Description: FIXED IND 8.2UH 1.1A 0.41OHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 410mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 8.2 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.