DFE252012PD-1R0M=P2 Murata Electronics
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 42mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.8A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.50 грн |
| 6000+ | 12.26 грн |
| 9000+ | 11.85 грн |
| 15000+ | 10.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DFE252012PD-1R0M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.042ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.2A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 3.8A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012P_D Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DFE252012PD-1R0M=P2 за ціною від 13.66 грн до 27.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DFE252012PD-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 42mOhm Max Ratings: AEC-Q200 Current - Saturation (Isat): 3.8A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.2 A |
на замовлення 16531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DFE252012PD-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1 UH 20% |
на замовлення 11205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
DFE252012PD-1R0M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.042ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.2A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 3.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012P_D Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
DFE252012PD-1R0M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.042ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 3.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012P_D Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DFE252012PD-1R0M=P2 |
|
Виробник: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 42mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.8A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
Description: FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 42mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.8A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.2 A
на замовлення 16531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.12 грн |
| 14+ | 21.49 грн |
| 100+ | 17.69 грн |
| 1000+ | 13.66 грн |
| DFE252012PD-1R0M=P2 |
|
Виробник: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 1 UH 20%
Power Inductors - SMD 1 UH 20%
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DFE252012PD-1R0M=P2 |
|
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.042ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.2A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.8A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012P_D Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.042ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.2A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.8A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012P_D Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DFE252012PD-1R0M=P2 |
|
Виробник: MURATA
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.042ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.8A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012P_D Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012PD-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012P_D Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.042ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 3.8A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012P_D Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)